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Infineon自動車IGBTのモジュール、高い発電IGBTモジュールのコンバーターFF1200R12IE5

Infineon自動車IGBTのモジュール、高い発電IGBTモジュールのコンバーターFF1200R12IE5

  • Infineon自動車IGBTのモジュール、高い発電IGBTモジュールのコンバーターFF1200R12IE5
Infineon自動車IGBTのモジュール、高い発電IGBTモジュールのコンバーターFF1200R12IE5
商品の詳細:
起源の場所: 中国
ブランド名: Infineon
モデル番号: FF1200R12IE5
お支払配送条件:
最小注文数量: 1 セット
パッケージの詳細: 木製ボックス梱包
受渡し時間: 契約に署名した後 25 日
支払条件: T/T
供給の能力: 1000sets
連絡先
詳細製品概要
VCES: 1200V ICのnom: 1200A
ICRM: 2400A
ハイライト:

高い発電の igbt モジュール

,

eupecのigbtモジュール

インフィニオン・テクノロジーズ自動車IGBTモジュールの高い発電のコンバーターFF1200R12IE5モーターは運転します

典型的な適用
•高い発電のコンバーター
•モーター ドライブ
•UPSシステム


電気特徴
操作延長実用温度Tvj
•高い短絡の機能
•打ち負かされない強さ
操作Tvj = 175°C
•堀IGBT 5

機械特徴
•CTI>400のパッケージ
•高い発電密度
•高い発電および熱循環の機能
•高い表面漏れおよび整理の間隔

IGBTインバーター
最高の評価される価値

コレクター エミッターの電圧 Tvj = 25°C VCES 1200 V
連続的なDCのコレクター流れ TC = 80°C、最高Tvj = 175°C ICのnom 1200 A
反復的なピーク コレクター流れ TP = 1人の氏 ICRM 2400 A
ゲート エミッターのピーク電圧 VGES +/-20 V

独特価値min.のtyp。最高。

コレクター エミッターの飽和電圧

IC = 1200 A、VGEの= 15ボルトTvj = 25°C

IC = 1200 A、VGEの= 15ボルトTvj = 125°C

IC = 1200 A、VGEの= 15ボルトTvj = 175°C

坐るVCE

1,70

2,00

2,15

2,15

2,45

2,60

VVV
ゲートの境界の電圧 IC = 33,0 mA、VCE = VGE、Tvj = 25°C VGEth 5,25 5,80 6,35 V
ゲート充満 VGE = -15ボルト… +15ボルト、VCE = 600V QG 5,75 µC
内部ゲートの抵抗器 Tvj = 25°C RGint 0,75
入力キャパシタンス f = 1つのMHz、Tvj = 25°C、VCE = 25ボルト、VGE = 0ボルト Cies 65,5 nF
逆の移動キャパシタンス f = 1つのMHz、Tvj = 25°C、VCE = 25ボルト、VGE = 0ボルト ツレス島 2,60 nF
コレクター エミッターの締切りの流れ VCE = 1200ボルト、VGE = 0ボルト、Tvj = 25°C 凍ります 5,0 mA
ゲート エミッターの漏出流れ VCE = 0ボルト、VGE = 20ボルト、Tvj = 25°C IGES 400 nA
遅れ時間回転、誘導負荷 IC = 1200 A、VCEの= 600ボルトTvj = 25°C
VGE = ±15 V Tvj = 125°C
RGon = 0,82 Ω Tvj = 175°C
td 0,20
0,23
0,25
µs
µs
µs
上昇時間、誘導負荷 IC = 1200 A、VCEの= 600ボルトTvj = 25°C
VGE = ±15 V Tvj = 125°C
RGon = 0,82 Ω Tvj = 175°C
tr 0,16
0,17
0,18
µs
µs
µs
回転遅れ時間、誘導負荷 IC = 1200 A、VCEの= 600ボルトTvj = 25°C
VGE = ±15 V Tvj = 125°C
RGoff = 0,82 Ω Tvj = 175°C
td 0,48
0,52
0,55
µs
µs
µs
落下時間、誘導負荷 IC = 1200 A、VCEの= 600ボルトTvj = 25°C
VGE = ±15 V Tvj = 125°C
RGoff = 0,82 Ω Tvj = 175°C
tf 0,08
0,11
0,13
µs
µs
µs
脈拍ごとのエネルギー損失回転 IC = 1200 A、VCEの= 600ボルト、LS = 45 nH Tvj = 25°C
VGE = ±15 V、di/dt = 6000 A/µs (Tvj = 175°C) Tvj = 125°C
RGon = 0,82 Ω Tvj = 175°C
永劫 80,0
120
160
mJ
mJ
mJ
脈拍ごとの回転エネルギー損失 IC = 1200 A、VCEの= 600ボルト、LS = 45 nH Tvj = 25°C
VGE = ±15 V、du/dt = 2800 V/µs (Tvj = 175°C) Tvj = 125°C
RGoff = 0,82 Ω Tvj = 175°C
Eoff 130
160
180
mJ
mJ
mJ
SCデータ VGEの≤ 15 V、VCCの= 900ボルト
VCEmax = VCES - LsCE·di/dt TPの≤ 10のµs、Tvj = 175°C
ISC 4000 A
熱抵抗、場合への接続点 IGBT/per IGBT RthJC 28,7 K/kW
熱抵抗、脱熱器への場合 IGBT/per IGBT
λPaste=1With (m·K)/λgrease=1With (m·K)
RthCH 22,1 K/kW
切換えの条件の下の温度 操作Tvj -40 175 °C

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連絡先の詳細
Hontai Machinery and equipment (HK) Co. ltd

コンタクトパーソン: Ms. Biona

電話番号: 86-755-83014873

ファックス: 86-755-83047632

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