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活動的な1500.0 A IGBT5 - E5自動車IGBT Modulの高い発電のコンバーターFF1500R12IE5は二倍になります

活動的な1500.0 A IGBT5 - E5自動車IGBT Modulの高い発電のコンバーターFF1500R12IE5は二倍になります

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活動的な1500.0 A IGBT5 - E5自動車IGBT Modulの高い発電のコンバーターFF1500R12IE5は二倍になります
商品の詳細:
起源の場所: 中国
ブランド名: Infineon
モデル番号: FF1500R12IE5
お支払配送条件:
最小注文数量: 1 セット
パッケージの詳細: 木製ボックス梱包
受渡し時間: 契約に署名した後 25 日
支払条件: T/T
供給の能力: 1000sets
連絡先
詳細製品概要
VCES: 1200V ICのnom: 1500A
ICRM: 3000A アプリケーション: モーター ドライブ
ハイライト:

高い発電の igbt モジュール

,

eupecのigbtモジュール

PrimePACK™3+modulewithTrench/FieldstopIGBT5、EmitterControlled5diodeandNTC VCES = 12

潜在的な適用
•UPSシステム
•高い発電のコンバーター
•太陽適用
•モーター ドライブ

電気特徴
操作Tvj = 175°C
操作延長実用温度Tvj
•打ち負かされない強さ
•堀IGBT 5
•高い短絡の機能

機械特徴
•CTI>400のパッケージ
•高い発電密度
•高い発電および熱循環の機能
•高い表面漏れおよび整理の間隔

IGBTインバーター
最高の評価される価値

コレクター エミッターの電圧 Tvj = 25°C VCES 1200 V
連続的なDCのコレクター流れ TC = 100°C、最高Tvj = 175°C ICのnom 1500 A
反復的なピーク コレクター流れ TP = 1人の氏 ICRM 3000 A
ゲート エミッターのピーク電圧 VGES +/-20 V

独特価値min.のtyp。最高。

コレクター エミッターの飽和電圧 IC = 1500 A、VGEの= 15ボルト
IC = 1500 A、VGEの= 15ボルト
IC = 1500 A、VGEの= 15ボルト
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
坐るVCE 1,70
2,00
2,15
2,15
2,45
2,60
VVV
ゲートの境界の電圧 IC = 41,0 mA、VCE = VGE、Tvj = 25°C VGEth 5,25 5,80 6,35 V
ゲート充満 VGE = -15ボルト… +15ボルト、VCE = 600V QG 7,15 µC
内部ゲートの抵抗器 Tvj = 25°C RGint 0,6
入力キャパシタンス f = 1つのMHz、Tvj = 25°C、VCE = 25ボルト、VGE = 0ボルト Cies 82,0 nF
逆の移動キャパシタンス f = 1つのMHz、Tvj = 25°C、VCE = 25ボルト、VGE = 0ボルト ツレス島 3,25 nF
コレクター エミッターの締切りの流れ VCE = 1200ボルト、VGE = 0ボルト、Tvj = 25°C 凍ります 5,0 mA
ゲート エミッターの漏出流れ VCE = 0ボルト、VGE = 20ボルト、Tvj = 25°C IGES 400 nA
遅れ時間回転、誘導負荷 IC = 1500 A、VCEの= 600ボルト
VGE = ±15 V
RGon = 0,82 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
td 0,26
0,28
0,28
µs
µs
µs
上昇時間、誘導負荷 IC = 1500 A、VCEの= 600ボルト
VGE = ±15 V
RGon = 0,82 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
tr 0,16
0,17
0,18
µs
µs
µs
回転遅れ時間、誘導負荷 IC = 1500 A、VCEの= 600ボルト
VGE = ±15 V
RGoff = 0,82 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
td 0,51
0,56
0,59
µs
µs
µs
落下時間、誘導負荷 IC = 1500 A、VCEの= 600ボルト
VGE = ±15 V
RGoff = 0,82 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
tf 0,09
0,11
0,13
µs
µs
µs
脈拍ごとのエネルギー損失回転 IC = 1500 A、VCEの= 600ボルト、LS = 30 nH
VGE = ±15 V、di/dt = 7900 A/µs (Tvj = 175°C)
RGon = 0,82 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
永劫 120
180
215
mJ
mJ
mJ
脈拍ごとの回転エネルギー損失 IC = 1500 A、VCEの= 600ボルト、LS = 30 nH
VGE = ±15 V、du/dt = 2750 V/µs (Tvj = 175°C)
RGoff = 0,82 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
Eoff 155
195
220
mJ
mJ
mJ
SCデータ VGEの≤ 15 V、VCCの= 900ボルト
VCEmax = VCES - LsCE·di/dt TPの≤ 10のµs、Tvj = 175°C
ISC 5600 A
熱抵抗、場合への接続点 IGBTごとの各IGBT/ RthJC 19,5 K/kW
熱抵抗、脱熱器への場合 IGBTごとの各IGBT/
λPaste = 1との(m·K)/λgrease =1との(m·K)
RthCH 12,5 K/kW
切換えの条件の下の温度 操作Tvj -40 175 °C

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連絡先の詳細
Hontai Machinery and equipment (HK) Co. ltd

コンタクトパーソン: Ms. Biona

電話番号: 86-755-83014873

ファックス: 86-755-83047632

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