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| 起源の場所: | 中国 |
| ブランド名: | Infineon |
| モデル番号: | FF200R12KT4 |
| 最小注文数量: | 1 セット |
|---|---|
| パッケージの詳細: | 木製ボックス梱包 |
| 受渡し時間: | 契約に署名した後 25 日 |
| 支払条件: | T/T |
| 供給の能力: | 1000sets |
| VCES: | 1200V | ICのnom IC: | 200 A |
|---|---|---|---|
| IC: | 320A | ICRM: | 400A |
| ハイライト: | 高い発電の igbt モジュール,自動車igbt |
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半橋62mm Cシリーズ1200ボルトのインバーター二重IGBTモジュールFF200R12KT4の電力ドライブ モジュール
最高の評価される価値
| コレクター エミッターの電圧 | Tvj = 25°C | VCES | 1200 | V |
| 連続的なDCのコレクター流れ | TC = 100°C、最高Tvj = 175°C TC = 25°C、最高Tvj = 175°C |
ICのnom IC |
200 320 |
A A |
| 反復的なピーク コレクター流れ | TP = 1人の氏 | ICRM | 400 | A |
| 全体の電力損失 |
TC = 25°C、 最高Tvj = 175°C |
Ptot | 1100 | W |
| ゲート エミッターのピーク電圧 | VGES | +/-20 | V |
独特価値
| コレクター エミッターの飽和電圧 |
IC = 200 A、VGE = 15ボルトTvj = 25°C IC = 200 A、VGE = 15ボルトTvj = 125°C |
坐るVCE | 1,75 2,05 2,10 |
2,15 | V VV |
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| ゲートの境界の電圧 | IC = 7,60 mA、VCE = VGE、Tvj = 25°C | VGEth | 5,2 | 5,8 | 6,4 | V |
| ゲート充満 | VGE = -15ボルト… +15ボルト | QG | 1,80 | µC | ||
| 内部ゲートの抵抗器 | Tvj = 25°C | RGint | 3,8 | Ω | ||
| 入力キャパシタンス | f = 1つのMHz、Tvj = 25°C、VCE = 25ボルト、VGE = 0ボルト | Cies | 14,0 | nF | ||
| 逆の移動キャパシタンス | f = 1つのMHz、Tvj = 25°C、VCE = 25ボルト、VGE = 0ボルト | ツレス島 | 0,50 | nF | ||
| コレクター エミッターの締切りの流れ | VCE = 1200ボルト、VGE = 0ボルト、Tvj = 25°C | 凍ります | 5,0 | mA | ||
| ゲート エミッターの漏出流れ | VCE = 0ボルト、VGE = 20ボルト、Tvj = 25°C | IGES | 400 | nA | ||
| 遅れ時間回転、誘導負荷 | IC = 200 A、VCE = 600ボルトTvj = 25°C VGE = ±15 V Tvj = 125°C RGon = 2,4 Ω Tvj = 150°C |
td | 0,16 0,17 0,18 |
µs µs µs |
||
| 上昇時間、誘導負荷 | IC = 200 A、VCE = 600ボルトTvj = 25°C VGE = ±15 V Tvj = 125°C RGon = 2,4 Ω Tvj = 150°C |
tr | 0,045 0,04 0,50 |
µs µs µs |
||
| 回転遅れ時間、誘導負荷 | IC = 200 A、VCE = 600ボルトTvj = 25°C VGE = ±15 V Tvj = 125°C RGon = 2,4 Ω Tvj = 150°C |
td | 0,45 0,52 0,54 |
µs µs µs |
||
| 落下時間、誘導負荷 | IC = 200 A、VCE = 600ボルトTvj = 25°C VGE = ±15 V Tvj = 125°C RGon = 2,4 Ω Tvj = 150°C |
tf | 0,10 0,16 0,16 |
µs µs µs |
||
| 脈拍ごとのエネルギー損失回転 | IC = 200 A、VCE = 600ボルト、LS = 30 nH Tvj = 25°C VGE = ±15 V、di/dt = 4000 A/µs （Tvj = 150°C） Tvj = 125°C RGon = 2,4 Ω Tvj = 150°C |
永劫 | 10,0 15,0 17,0 |
19,0 30,0 36,0 |
||
| 脈拍ごとの回転エネルギー損失 | IC = 200 A、VCE = 600ボルト、LS = 30 nH Tvj = 25°C VGE = ±15 V、du/dt = 4500 V/µs （Tvj = 150°C） Tvj = 125°C RGoff = 2,4 Ω Tvj = 150°C |
Eoff | 14,0 20,0 23,0 |
mJ mJ mJ |
||
| SCデータ | VGEの≤ 15 V、VCCの= 900ボルト VCEmax = VCES - LsCE·di/dt TPの≤ 10のµs、Tvj = 150°C |
ISC | 800 | mJ mJ mJ |
||
| 熱抵抗、場合への接続点 | IGBTごとのIGBT/ | RthJC | 0,135 | K/W | ||
| 熱抵抗、caseto脱熱器 | IGBTごとの各IGBT/ λPaste = 1との（m·K）/λgrease = 1との（m·K） |
RthCH | 0,034 | K/W | ||
| 切換えの条件の下の温度 | 操作Tvj | -40 | 150 |
°C
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コンタクトパーソン: Ms. Biona
電話番号: 86-755-83014873
ファックス: 86-755-83047632
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